為什么熱氧化工藝一般要摻氯？
發布時間：
2025-01-06
什么是熱氧化工藝？
熱氧化工藝是在半導體制造過程中用于在晶圓表面生成氧化硅（SiO?）層，分為濕氧與干氧，主要在芯片制程中用來做絕緣層如柵氧化層，場氧化層，STI隔離層，或保護鈍化層等。
DCE是什么？
DCE指反式，1,2-二氯乙烯，含氯有機化合物，化學式為C2H4Cl2，是熱氧化摻氯工藝中提供氯元素的物質。
除了DCE，早期還有氯氣，三氯乙烯(TCE)，1,1,1三氯乙烷(TCA)，HCl等均可作為摻氯物質。但是 TCE是致癌物質已不再使用，TCA會對臭氧造成破壞，因此用HCl與DCE作為摻氯物質使用較多。
熱氧化工藝摻氯有什么作用？
1，增強氧化速度，能使氧化速率提升 10%~15%。
2，鈍化可動離子，特別是Na+，K+，鈉，鉀離子在電場作用下移動到硅片表面，影響電學特性，導致器件不穩定。而摻氯可固定可動離子，避免其移動。
3，中和Si-SiO2界面處電荷，減少氧化層缺陷。
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